จากที่ได้ศึกษาเกี่ยวกับระบบไฟฟ้าทั้งระบบไฟฟ้ากำลังและไฟฟ้าอิเล็กทรอนิกส์ ต่างก็เจอปัญหาที่คล้ายคลึงกันเกี่ยวกับการบริหารพลังงานหรือแม้แต่การจัดการรูปแบบสัญญาณทางไฟฟ้าโดยให้ได้พลังงานสูง ต่างก็ประสบปัญหาเดียวกันคือค่าความสูญเสียและความร้อน ทำให้ต้องออกแบบระบบที่มาแก้ปัญหานี้ต่ออีกที จึงเป็นที่มาที่คิดว่าจะยังมีทางไหนไหมที่มีโอกาสสร้างระบบที่ได้ประสิทธิภาพสูงสุดในทุกๆ ด้าน และใช้ได้ในทุกระบบ จนได้ออกแบบ สวิตช์ทางไฟฟ้าอิเล็กทรอนิกส์ที่น่าจะมีโอกาสแก้ปัญหาดังที่ว่ามาได้ทั้งหมด
         จนสรุปเป็นวงจรง่ายๆ มีเพียง Capacitor และสวิตช์แบบ SPDT หรือใช้แบบ DPDT ซึ่งในการสร้างต้นแบบของจริงต้องใช้ MOSFET หรือ IGBT แทน Relay สวิตช์ในชุดทดลอง ซึ่งวงจรที่ออกแบบสามารถสร้างทดสอบในโปรแกรม Virtual ต่างๆ ได้
         ในคลิปจะเป็นการต่อชุดทดสอบง่ายๆ ด้วย Relay ซึ่งมีข้อจำกัดแค่ความถี่ตอบสนองได้สูงสุดเพียง 40 Hz แต่ก็พอทดสอบเบื้องต้นได้ว่ามีแนวโน้มจะทำงานจริงได้ไหม (เมื่อออแบบวงจรใหม่ใช้ FET แทนสวิตช์โดยสมบูรณ์) ซึ่งจะทำให้วงจรทำงานที่ความถี่ที่สูงขึ้นได้เป็นผลให้อัตราการเรียกกระแสดีกว่าชุดทดสอบเบื้องต้นมาก
         หากทำสำเร็จมีระบบมีข้อดีเด่นชัดคือ
        -  ค่าประสิทธิภาพ การแปลงไฟฟ้าสูงมาก อาจถึง 99.99%
        -  แปลงแรงดันที่ต่ำมากๆ โดยเรียกกระแสสูงๆ ได้ เช่น จากในคลิปทดสอบ Boost แรงดันต่ำที่ 0.1 V  ให้เป็น  1 V ได้ ซึ่งวงจรในปัจจุบันในระดับเดียวกันในโลกนี้ยังไม่สามารถทำได้ ที่ทำได้มีเพียงระบบวงจรระดับนาโนใน IC Chip ที่แปลงได้แต่กระแสที่ได้จะต่ำมากๆ ระดับไมโครแอมป์ถึงไม่กี่มิลิแอมป์
        -  ความร้อนน้อยมาก เนื่องจากไม่มีส่วนไหนใช้การเหนี่ยวนำทางแม่เหล็กไฟฟ้า
        -  ขยายขนาดระบบวงจรให้เล็กระดับนาโนฯ หรือใหญ่ระดับ Power Plant ได้ เพราะวงจรประกอบด้วย C และ FET เท่านั้น ซึ่งในระบบการออกแบบ IC มีใช้กันเป็นปกติ
        -  วงจรสามารถเรียกกระแสได้เต็มๆ เนื่องจากไม่เกิดคอขวดที่ส่วนไหนเลย อยู่ที่ความถี่ในการสวิตช์สลับวงจรเท่านั้น ยิ่งความถี่สูงแรงดันและกระแสจะนิ่งมากขึ้น
        -  ใช้อุปกรณ์น้อยกว่าระบบเดิมมาก ต้นทุนต่ำ เนื่องจากอัตราการโหลดกระแสไม่ขึ้นกับข้อจำกัดของตัวอุปกรณ์อย่างเดียว เพราะทำงานแบบ Switching ผสมทำให้ระบบเรียกกระสใช้งานได้มากกว่าที่ตัวอุปกรณ์จ่ายได้จริง (อัตราการจ่ายกระแสตัว FET ไม่ต้องสูงมากเหมือนชุดไฟขาออกแบบปกติ เพราะ FET ในวงจรจะทำหน้าที่ส่งกระแสทั้งหมดได้ขึ้นอยู่ที่ความถี่ ยิ่งความถี่สูง กระแสไฟออกจะได้มากตามอัตราส่วนความถี่
        -  ความปลอดภัยสูง เนื่องจากวงจรทั้งหมดแยกภาระโหลดกันชัดเจน โอกาสที่อุปกรณ์จะรับภาระโหลดตัวเดียวแล้วเกิดความร้อนระเบิดหรือแม้แต่แรงดันสูงระดับหลายแสนหรือล้านโวลต์เป็นไปได้ยาก เนื่องจากสามารถออกแบบหลีกเลี่ยงการ Spark ภายในระบบได้เพราะแรงดันสูงจะเกิดที่ปลายของวงจรแล้วเท่านั้น
      -   เป็นเพียงโมดูลนึง สามารถออกแบบวงจรอื่นๆ ครอบเพื่อความเสถียรและประยุกต์การใช้งานได้หลากหลายรูปแบบ

     คลิปทดสอบวงจรเบื้องต้น Ver.2   https://youtu.be/C7HXdQAxmCc

ถ้าหากพิสูจน์แน่ชัดว่ายังไม่มีใครทำมาก่อน ผู้คิดค้นขอใช้สิทธิ์แจกฟรีทุกกรณี เงื่อนไขเดียวคือถ้าจะเอาไปแสวงหาผลประโยชน์ทำการค้าก็ขออนุญาตมาหน่อย ไม่มีค่าใช้จ่ายใดๆ ทั้นสิ้น
     ส่วนใครจะดราม่าขอแบบวิชาการมีความรู้พื้นฐานจริงๆ ไม่เอามั่วๆ โยงโน่นนี่ที่ผิดจากพื้นฐานทางไฟฟ้าและอิเล็กทรอนิกส์ แม้ในทางปฎิบัตินะครับ วงจรมันแทบไม่มีอะไรเลย หวังว่าจะหาความรู้เข้าใจในสิ่งที่นำเสนอได้ไม่ยาก