คำตอบที่ได้รับเลือกจากเจ้าของกระทู้
ความคิดเห็นที่ 3
1. ที่เกตมี C อยู่ครับ ยิ่งเป็น Power Mos ค่า C ยิ่งมีค่ามาก เมื่อ drive MOSFET อย่างทันทีทันใด dV/dt อาจทำให้เกตเสียหายได้
จำเป็นสำหรับ Power MOSFET ที่ใช้ในงานสวิชชิ่งครับ
2. ไม่จำเป็นต้องคำนวนครับ จะคำนวนก็ได้ครับแต่ไม่จำเป็น ส่วนมากเป็นค่าที่ได้จากทดลองใช้งานอยู่ในหลัก 10-100 โอห์ม
ต้องลองดูคับ น้อยไปก็ไม่ได้ มากไปก็ไม่ดีเพราะจะทำให้เกิดปัญหาอื่นขึ้นมาอีกครับ
3. ใช้วงจรดึงประจุสะสมที่เกตออกไปครับ หรือไม่ไก็เลือก MOSFET ที่ Ciss ต่ำ
4. เราไม่ต้องการให้ on/off เร็วไปหรือช้าไปครับ เราต้องการให้ on/off ทันเพียงพอกับการใช้งาน
จำเป็นสำหรับ Power MOSFET ที่ใช้ในงานสวิชชิ่งครับ
2. ไม่จำเป็นต้องคำนวนครับ จะคำนวนก็ได้ครับแต่ไม่จำเป็น ส่วนมากเป็นค่าที่ได้จากทดลองใช้งานอยู่ในหลัก 10-100 โอห์ม
ต้องลองดูคับ น้อยไปก็ไม่ได้ มากไปก็ไม่ดีเพราะจะทำให้เกิดปัญหาอื่นขึ้นมาอีกครับ
3. ใช้วงจรดึงประจุสะสมที่เกตออกไปครับ หรือไม่ไก็เลือก MOSFET ที่ Ciss ต่ำ
4. เราไม่ต้องการให้ on/off เร็วไปหรือช้าไปครับ เราต้องการให้ on/off ทันเพียงพอกับการใช้งาน
แสดงความคิดเห็น
ขอความรู้เกี่ยวกับ MOSFET ครับ
ผมอยากจะออกแบบวงจร H-bridge หน่ะครับ
ผมจึงออกหาข้อมูลตามเว็ปต่างๆ จึงเกิดคำถามดังนี้ครับผม
1.การใส่ตัวต้านทานต่ออนุกรมที่ขา gate ของ MOSFET นี่มีส่วนเกี่ยวกับเรื่องอะไรเหรอครับ ? แล้วมันจำเป็นสำหรับวงจร H-bridge หรือเปล่าครับ ?
2.ถ้าจำเป็นจริงๆ มีวิธีการคำนวณหรือค่าที่ใช้กันเป็นส่วนใหญ่มั้ยครับ ?
3.เท่าที่ผมเคยเรียนมา ระหว่างขา Gate และขา Source ของ MOSFET เสมือนมีตัวเก็บประจุแฝงอยู่(Parasitic C) ทำให้บางจังหวะที่เรา ON/OFF มัน
มันจะไม่ค่อย ON/OFF ในทันทีทันใดเท่าไหร่นักใช้มั้ยครับ เนื่องจากตัวCแฝงมีประจุค้างอยู่ เค้ามีวิธีการทำกันอย่างไรครับ ให้ตัว Cแฝงคายประจุได้เร็วขึ้น
หรือก็คือให้ MOSFET ON/OFF เร็วขึ้นตามพฤติกรรมที่ควรจะเป็นของวงจร H-bridge หน่ะครับ
4.ถ้าเกิดเราทำให้ MOSFET ON/OFF ได้เร็วขึ้นแล้ว ถ้าเร็วมากๆจะมีผลเสียอย่างไรหรือเปล่าครับ แล้วถ้าช้าเกินไปจะมีผลเสียอย่างไรครับ แล้วมีวิธีแก้ยังไงครับผม ?
คำถามอาจจะเยอะไปหน่อย ขออภัยด้วยนะครับ
ขอบคุณมากครับ ^^