สวัสดีครับ
ผมอยากจะออกแบบวงจร H-bridge หน่ะครับ
ผมจึงออกหาข้อมูลตามเว็ปต่างๆ จึงเกิดคำถามดังนี้ครับผม

1.การใส่ตัวต้านทานต่ออนุกรมที่ขา gate ของ MOSFET นี่มีส่วนเกี่ยวกับเรื่องอะไรเหรอครับ ? แล้วมันจำเป็นสำหรับวงจร H-bridge หรือเปล่าครับ ?

2.ถ้าจำเป็นจริงๆ มีวิธีการคำนวณหรือค่าที่ใช้กันเป็นส่วนใหญ่มั้ยครับ ?

3.เท่าที่ผมเคยเรียนมา ระหว่างขา Gate และขา Source ของ MOSFET เสมือนมีตัวเก็บประจุแฝงอยู่(Parasitic C) ทำให้บางจังหวะที่เรา ON/OFF มัน
มันจะไม่ค่อย ON/OFF ในทันทีทันใดเท่าไหร่นักใช้มั้ยครับ เนื่องจากตัวCแฝงมีประจุค้างอยู่ เค้ามีวิธีการทำกันอย่างไรครับ ให้ตัว Cแฝงคายประจุได้เร็วขึ้น
หรือก็คือให้ MOSFET ON/OFF เร็วขึ้นตามพฤติกรรมที่ควรจะเป็นของวงจร H-bridge หน่ะครับ

4.ถ้าเกิดเราทำให้ MOSFET ON/OFF ได้เร็วขึ้นแล้ว ถ้าเร็วมากๆจะมีผลเสียอย่างไรหรือเปล่าครับ แล้วถ้าช้าเกินไปจะมีผลเสียอย่างไรครับ แล้วมีวิธีแก้ยังไงครับผม ?

คำถามอาจจะเยอะไปหน่อย ขออภัยด้วยนะครับ
ขอบคุณมากครับ ^^