เมื่อวันที่ 8 ที่ผ่านมา
ASML ได้เปิดเผยความคืบหน้าในการนำระบบการพิมพ์หิน
High NA ขนาด 12 นิ้ว เข้าสู่กระบวนการผลิตขั้นสูง ร่วมกับ
TSMC (2330),
Samsung และ
Intel พร้อมทั้งร่วมกันผลักดันการเปลี่ยนผ่านและอัปเกรดไปสู่หน้ากากสารกึ่งตัวนำ (Photomask) ขนาด 12 นิ้ว เพื่อใช้ประโยชน์จากเทคโนโลยีการพิมพ์หินด้วยรังสีอัลตราไวโอเลตยวดยิ่งที่มีค่ารูรับแสงสูง (
High NA EUV) ให้เกิดประสิทธิภาพสูงสุด โดยมีความร่วมมือกับ TSMC ที่ตั้งเป้าหมายจะสร้างสายการผลิตทดลองสำหรับหน้ากากขนาด 12 นิ้วภายในปี 2031 และคาดว่าจะเริ่มการผลิตในปริมาณมาก (Mass Production) ได้ภายในปี 2033
ผู้เชี่ยวชาญวิเคราะห์ว่า ในยุค AI ชิปต่าง ๆ เช่น GPU ของ Nvidia มีขนาดใหญ่ขึ้นเรื่อย ๆ และมีการออกแบบที่ซับซ้อนมากขึ้น ซึ่งยิ่งทำให้ข้อจำกัดนี้เด่นชัดขึ้น ดังนั้น การที่อุตสาหกรรมร่วมกันผลักดันหน้ากากขนาด 12 นิ้วที่ใหญ่ขึ้น นอกเหนือจากการร่วมมือกันในอุตสาหกรรมเพื่อแบ่งเบาภาระต้นทุนแล้ว ยังช่วยให้สามารถฉายแสงลวดลายชิปที่มีพื้นที่ใหญ่ขึ้นได้ภายในครั้งเดียว ซึ่งช่วยขจัดความจำเป็นในการเย็บต่อลายชิป (Stitching) อีกด้วย
ASML จับมือ TSMC และอีก 2 ยักษ์ใหญ่ ร่วมวิจัยและพัฒนาหน้ากากสารกึ่งตัวนำ (Photomask) แบบ High NA ขนาด 12 นิ้ว
ผู้เชี่ยวชาญวิเคราะห์ว่า ในยุค AI ชิปต่าง ๆ เช่น GPU ของ Nvidia มีขนาดใหญ่ขึ้นเรื่อย ๆ และมีการออกแบบที่ซับซ้อนมากขึ้น ซึ่งยิ่งทำให้ข้อจำกัดนี้เด่นชัดขึ้น ดังนั้น การที่อุตสาหกรรมร่วมกันผลักดันหน้ากากขนาด 12 นิ้วที่ใหญ่ขึ้น นอกเหนือจากการร่วมมือกันในอุตสาหกรรมเพื่อแบ่งเบาภาระต้นทุนแล้ว ยังช่วยให้สามารถฉายแสงลวดลายชิปที่มีพื้นที่ใหญ่ขึ้นได้ภายในครั้งเดียว ซึ่งช่วยขจัดความจำเป็นในการเย็บต่อลายชิป (Stitching) อีกด้วย