อินเทลร่วมกับไมครอน พัฒนาหน่วยความจำแฟลช 3D XPoint เร็วกว่า NAND พันเท่า

อินเทลและไมครอนประกาศความสำเร็จของงานวิจัยร่วม 3D XPoint (อ่านว่า ทรี-ดี ครอส-พอยต์) หน่วยความจำแบบแฟลช โดยระบุว่าเป็นหน่วยความจำประเภทใหม่ครั้งแรกในรอบ 25 ปี

3D XPoint ประสิทธิภาพสูงกว่า NAND ได้ถึงพันเท่าตัว ทนทานต่อการใช้งานถึงพันเท่าตัว และหน่วยความจำหนาแน่นกว่าสิบเท่าตัว ทำให้สามารถใช้งานได้ทั้งงานที่ต้องการประสิทธิภาพสูง, พื้นที่ขนาดใหญ่, และต้องการเก็บข้อมูลระยะยาว

การออกแบบของ 3D XPoint ทำให้เซลล์ของหน่วยความจำสามารถซ้อนกันขึ้นไปได้เรื่อยๆ เพื่อเพิ่มความหนาแน่นของหน่วยความจำ อีกจุดที่อินเทลแสดงในแผนภาพ คือแต่ละบิตจะอ้างถึงด้วยความต่างศักย์ของ Selector โดยไม่ต้องใช้ทรานซิสเตอร์เหมือน NAND (อ่านกระบวนการทำงานของ NAND flash ใน EE Times) ทำให้ความหนาแน่นสูงขึ้นมาก แผนภาพของอินเทลไม่ได้บอกรายละเอียดว่ากระบวนการอ่านและเขียนข้อมูลลง 3D XPoint ว่าทำงานอย่างไร

อินเทลคาดว่า 3D XPoint จะทำให้สถาปัตยกรรมคอมพิวเตอร์เปลี่ยนไปโดยเราไม่ต้องมีหน่วยความจำแบบไม่ถาวร (volatile memory) มาคั่นกลางก่อนถึงซีพียูอีกต่อไป แต่เราสามารถเชื่อมต่อ 3D XPoint เข้ากับซีพียูได้โดยตรง

ชิปตัวอย่างจะเริ่มส่งมอบไปยังลูกค้าบางรายภายในปีนี้ หลังจากนี้อินเทลและไมครอนจะแยกกันพัฒนาสินค้าจากเทคโนโลยีนี้ต่อไป




ที่มา https://www.blognone.com/node/70802


หลายคนอาจจะไม่เข้าใจกว่า NAND คืออะไร?
NAND พูดง่ายๆ คือฮาร์ดดิสเก็บข้อมูลในคอมฯ มือถือ หรือแม้แต่ iPhone iPad นั่นแหละครับคอมฯ ใครใช้ SSD อยู่คิดเร็วแล้วนั้น "สิ่งที่ค้นพบใหม่นั้น มันทำงานเร็วกว่า SSD ถึง 1,000 เท่า"

ลองจินตนาการดูว่าต่อไปคอมพิวเตอร์จะเร็วมากแค่ไหน เพียงกดเปิดแล้วพร้อมใช้งานได้เลย ไม่ต้องมีหน่อยความจำสำรอง(Ram) ที่คั่นระหว่าง CPU กับ Harddisk อีกต่อไป

อีกไม่กี่ปีเราคงจะเห็นสิ่งใหม่ๆ ในวงการเทคโนโลยีคอมพิวเตอร์กันแน่นอน

ที่มา https://facebook.com/story.php?story_fbid=10153488924158320&id=137707208319